Цель работы - изучение диффузионно-рекомбинационных процессов в полупроводниках, определение основного параметра диффузионно-рекомбинационных процессов - диффузионной длины в образце германия методом подвижного светового зонда.
1. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
В условиях термодинамического равновесия процессы тепловой генерации и рекомбинации поддерживают в полупроводнике постоянные концентрации электронов и дырок,(n0 -, p0 -равновесные концентрации). Под действием внешнего облучения (например, светом) или инжекции через контакт (впрыскивание носителей заряда) в полупроводнике возникают избыточные неравновесные носители заряда поведение которых со временем описывается двумя уравнениями непрерывности

где - скорости изменения концентраций дырок и электронов со временем.
Уравнения непрерывности описывают изменения концентраций дырок и электронов во времени за счет различных физических процессов. Первые члены правой части уравнений отражают процессы рекомбинации неравновесных дырок и электронов, где - время жизни неравновесных дырок и электронов. Вторые члены отражают изменения концентраций за счет процессов движения (тепловая диффузия в направлении уменьшения градиента концентраций и дрейф в электрическом поле),
где , - потоки дырок и электронов, div - математический оператор дивергенции. Третьи члены правой части уравнений отражают скорость генерации неравновесных дырок и электронов. При генерации светом или инжекции через p-n-переход .При наличии процессов диффузии и дрейфа носителей заряда уравнения для плотностей тока дырок и электронов имеют вид

где , - коэффициенты диффузии дырок и электронов; , - подвижности дырок и электронов; - напряженность электрического поля; Grad - математический оператор градиента.
Первые члены уравнения (3) и (4) являются диффузионными токами, а вторые - дрейфовыми.
В одномерном случае для полупроводника n-типа при отсутствии внешнего электрического поля уравнение непрерывности для дырок (неосновных носителей заряда) при подстановке (3) в (1) имеет вид