С физической точки зрения различают три главных процессов. следствием которых является диэлектрические потери.
Главным процессом, вызывающим диэлектрические потери, является процесс электропроводности. Вызванные этим процессом потери называются потери на электропроводность. Они возникают во всех диэлектриках. Больше всего они проявляются при повышенных температурах.
К потерям на электропроводность добавляются потери на поляризацию. Эти потери обычно наблюдаются в определенном интервале температур, где проявляется поляризация, связанная с потерями.
В области сильных электрических полей добавляются потери на ионизацию, которые возникают при ионизации диэлектрика. Диэлектрические потери определяются показателями, которые зависят только от качества материала. Такими показателями являются тангенс угла электрических потерь и коэффициент диэлектрических потерь. Обе этих величины определяются и имеют четкий физический смысл только для линейных диэлектриков и синусоидального переменного электрического поля. Однако они используются в качестве условных показателей и для сравнения нелинейных диэлектриков с точки зрения диэлектрических потерь.
Тангенс угла диэлектрических потерь определяется как тангенс угла  . являющегося дополнительным углом по отношению к углу сдвига фаз между током и напряжением ( = 900 — в емкостной цепи и называющегося углом диэлектрических потерь (рис.1.)

а) векторная диаграмма для параллельной эквивалентной схемы ди электрика с потерями,
б) эквивалентная схема диэлектрика с потерями.
Взаимосвязь между тангенсом угла потерь tg и диэлектрическими потерями Р выражается формулой
,
где U - действующее значение электрического напряжения,
 - угол потерь,
С - ёмкость конденсатора.
Для доброкачественных диэлектриков эта формула справедлива для , любой эквивалентной схемы. Если же диэлектрик с большими потерями, то ёмкость конденсатора с таким диэлектриком и диэлектрическая проницаемость величины достаточно условные и зависят от выбора той или иной эквивалентной схемы. Для параллельной эквивалентной схемы из векторной диаграммы рис. 1(а) имеем:
; ; ; .
Для большинства диэлектриков параметры эквивалентной схемы зависят от частоты, поэтому параметры конденсатора с диэлектриком должны определяться на той частоте, на которой он будет использоваться.
Коэффициент диэлектрических потерь равен произведению относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь, т.е. • tg .
Тангенс угла потерь зависит от температуры и необходимо различать случаи полярных и неполярных диэлектриков.
В случае неполярного диэлектрика проявляются только потери на электропроводность, и tgэкспоненциально увеличивается с ростом температуры.
В случае полярных диэлектриков к потерям на электропроводность, которые больше, чем у неполярных диэлектриков, добавляются потери на поляризацию, которые увеличивают общее значение тангенса угла потерь.
Диэлектрические потери возрастают с температурой, несмотря на то, что tg может в определенной области уменьшаться. Это вызвано тем. что в той области температур, где tg уменьшается резко, увеличивается относительная диэлектрическая проницаемость полярного диэлектрика. Кроме того, часто потери на электропроводность выше, чем потери на поляризацию.